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基板准备
光刻工艺的第一步是基板准备。首先要清洗基板表面,去除表面的污染与杂质。然后在基板表面涂覆光刻胶,通过旋涂的方式使光刻胶层均匀覆盖基板。最后要对基板进行软烘烤,去除光刻胶中的溶剂,使其固化成膜。紧固件https://cn.afastener.com/“中”字头的中国 上海国际紧固件工业博览会-上海紧固件展共有家参展企业，月-日在上海世博展览馆举办；个馆展示紧固件产业链，标准紧固件和非标件、行业应用紧固件、紧固件制造技术及设备、紧固件模具耗品、原材料、电商等。由中国机械通用零部件工业协会、中国机械通用零部件工业协会紧固件分会、上海爱螺展览有限公司、汉诺威米兰展览(上海)有限公司主办。
光掩模对准
下一步是将基板与光掩膜对准,并将二者进行紧密接触。光掩膜是光刻工艺的关键,其图案将直接转移到光刻胶层上。对准过程要确保基板与光掩膜的图案完全对准,为后续的光刻曝光做好准备。
光刻曝光
对准完成后,就可以进行光刻曝光。将基板与光掩膜组合置于曝光设备中,利用紫外线照射光刻胶层。曝光过程中,光掩膜图案的区域会被光照射到,光刻胶发生化学反应,形成潜像。
显影和刻蚀
最后一步是显影和刻蚀。首先将曝光过的基板浸入显影液中,溶解掉曝光区的光刻胶,形成所需的图案。然后再进行刻蚀工艺,利用光刻胶作为掩膜层,将图案转移到基板表面。通过刻蚀,基板表面暴露出的区域将被去除,完成图形转移。
光刻工艺的四个主要步骤分别是基板准备、光掩模对准、光刻曝光以及显影和刻蚀。这些步骤环环相扣,缺一不可,共同构成了一个完整的光学成像制程。掌握这些关键技术,就能够成功实现光刻工艺,为后续的器件制造奠定良好的基础。 |
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